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      MBQ60T65PES original Magna Chip 60A 600V Felds topp IGBT 60 T65PES

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      Shenzhen Boruijintong Technology Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant2 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      MBQ60T65PES
      Art
      IGBT Transistor
      Markenname
      original

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      -
      Beschreibung
      -
      Ursprungsort
      original
      Paket/Fall
      -
      Serie
      60 t65pes
      D/c
      22 +
      Lieferantentyp
      Original hersteller, ODM
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos
      品名
      60 t65pes
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Betriebstemperatur
      -
      Befestigungstyp
      -
      Widerstand-Basis (R1)
      -
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Feature
      -
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      -
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      ...
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      ...
      Rauschzahl
      -
      Power-Ausgang
      -
      Spannung-Bewertet
      -
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      ...
      Vgs (Max)
      -
      IGBT Typ
      -
      Konfiguration
      -
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      ...
      Eingang
      -
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      ...
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Strom Drain (Id)-Max
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      ...
      Widerstand-RDS (Auf)
      -
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      -
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      ...
      Strom-Tal (Iv)
      -
      Strom-Spitzen
      -
      Anwendungen
      -
      Transistor Typ
      -
      Produkt
      Igbt
      Produkt nummer
      Mbq60t65pes
      Zahlung
      Paypal \ tt \ western union \ handel assurance
      Basis produktnummer
      60 t65pes
      Igbt
      Felds topp
      Garantie
      -
      Vorlaufzeit
      1-3 Tage
      Lieferanten geräte paket
      Bis-247
      Qualität
      100% original Marke
      Beschreibung
      Hochgeschwindigkeits-Feldstopp graben igbt zweite Generation

      Verpackung und Lieferung

      Details zur Verpackung
      Original werkseitig versiegelte Verpackung mit Standard typen: Rohr, Tablett, Klebeband und Rolle, Box, Beutel verpackung. Bitte lassen Sie uns wissen, wenn Sie spezielle Anforderungen haben
      Hafen
      shenzhen
      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      15X10X4 cm
      Einzelbruttogewicht:
      1.000 kg
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